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前川 雅樹; 深谷 有喜; 薮内 敦; 河裾 厚男
Journal of Physics; Conference Series, 262, p.012035_1 - 012035_4, 2011/01
被引用回数：2 パーセンタイル：65.41(Physics, Applied)スピン偏極陽電子を用いると、物質内部や表面・界面の余剰スピンの検出が可能となり、スピントロニクス材料分野へ応用できる。高い偏極率と強度を持つ陽電子源として、われわれは
Geに注目した。これは半減期280日で壊変し、娘核Gaが放出する最大エネルギー1.9MeVの陽電子を利用する。理論上のスピン偏極率は90%である。線源の生成には高エネルギー陽子線による
Ga(p,2n)Ge反応を用いる。ターゲットとして液体Ga及びGaN結晶を選択した。生成率は0.16
0.24MBq/
A/hであった。放出される陽電子のスピン偏極率をパラポジトロニウム消滅割合の磁場反転依存性を用いて測定したところ、90%程度であることが確認された。
薮内 敦; 前川 雅樹; 河裾 厚男; 長谷川 繁彦*; Zhou, Y. K.*; 朝日 一*
Journal of Physics; Conference Series, 262(1), p.012066_1 - 012066_4, 2011/01
被引用回数：0 パーセンタイル：0.06(Physics, Applied)CrドープGaNは室温希薄磁性半導体材料として期待されている。磁気特性を得るためには高濃度にCrを固溶させることが重要であるが、一般的なGaNのMBE成長温度ではCrN相が析出してしまうため、低温での結晶成長が試みられている。しかしこの場合、空孔型欠陥の導入が懸念される。そこで本研究ではMBE成長GaCrN結晶中の欠陥構造について低速陽電子ビームを用いて評価した。MOCVD-GaN(2m)/Sapphireテンプレート基板上にMBE成長によりGaN(4nm)/GaCrN(500nm)/GaN(40nm)構造を作製した。GaN層の成長温度は700
Cであり、GaCrN層(Cr濃度0.7%)の成長温度は700Cもしくは540Cである。それぞれの成長温度についてSiドープ試料とアンドープ試料を用意した。これら試料の陽電子消滅
線ドップラー幅広がり測定と陽電子寿命測定を行った。その結果、低温成長により空孔型欠陥が導入され、さらにその欠陥種もしくは欠陥濃度がSiドープにより変化することを見いだした。消滅線同時計数ドップラー幅広がり測定並びに陽電子寿命測定の結果から、低温成長のアンドープGaCrN, SiドープGaCrN中にはそれぞれ空孔集合体,単空孔関連欠陥複合体が存在していると結論付けた。
薮内 敦; 前川 雅樹; 河裾 厚男
Journal of Physics; Conference Series, 262, p.012067_1 - 012067_4, 2011/01
被引用回数：2 パーセンタイル：65.41(Physics, Applied)近年、亀裂先端の応力勾配を駆動力に原子空孔が集積し、応力腐食割れ(SCC)亀裂が進展していくという仮説が提唱されている。しかしそのような原子空孔の生成起源について完全には明らかになっていない。そこで本研究ではSCC亀裂形成時における空孔生成現象に関して、陽電子マイクロビームを用いて調べた。SUS304ステンレス箔を真空中で650C
24h加熱処理し耐食性を低下させた状態で、沸騰MgCl
水溶液中での加速腐食処理によりSCC亀裂を生じさせ、陽電子消滅線ドップラー幅広がりスペクトル
を40mステップで取得した。その結果、亀裂周辺200400mの領域でスペクトルのピーク中心強度の増大が観測され、亀裂周辺から得たスペクトルを亀裂から離れた領域から得たスペクトル
で除した比率スペクトルの形状が、引張試験により得られた比率スペクトルの形状並びに第一原理計算により作成した比率スペクトルの形状とよく一致することから、SCC亀裂周辺で観測されたピーク中心強度の増大は塑性変形誘起空孔によりもたらされたものであると結論付けた。
堀 史説*; 小野寺 直利*; 福本 由佳*; 石井 顕人*; 岩瀬 彰宏*; 河裾 厚男; 薮内 敦; 前川 雅樹; 横山 嘉彦*
Journal of Physics; Conference Series, 262, p.012025_1 - 012025_4, 2011/01
被引用回数：5 パーセンタイル：84.71(Physics, Applied)200MeV又は2.5MeVのXeイオン,180keVのHeイオン、及び2MeV電子線をそれぞれ室温で照射したZr
Cu
Al
バルク金属ガラス中の自由体積変化について陽電子消滅法を用いて調べた。X線回折測定の結果、いずれの試料においても照射による結晶化は確認されなかった。陽電子寿命測定の結果、電子線照射試料及びHeイオン照射試料では陽電子寿命値の増大が観測された一方で、重イオンであるXeイオン照射試料では陽電子寿命値の減少が観測された。金属ガラスの陽電子寿命値の減少は構造緩和又は結晶化を示唆するものであるが、本研究試料では結晶化は確認されていない。したがって、Xeイオン照射試料の陽電子寿命値の減少は照射粒子から与えられたエネルギーにより生じた構造緩和に起因するものであると考えられる。一方で、軽イオンであるHeイオン照射試料では照射損傷領域において自由体積の増大を示す陽電子消滅線ピーク強度の増大が観測されたことから、ZrCuAlバルク金属ガラスへの照射効果は照射粒子の1粒子あたりの原子弾き出し数の違いに依存することを見いだした。
河裾 厚男; 前川 雅樹; 深谷 有喜; 薮内 敦; 望月 出海
no journal, ,
原子力機構において進行中の2つの研究プロジェクト(反射高速陽電子回折による表面低次元物質の研究、及び、スピン偏極陽電子ビームの開発と磁性材料への応用)の現状についてレビューする。前者については、反射高速陽電子回折の原理と回折過程におけるエネルギー損失などについて述べるとともに、シリコン表面上に形成したインジウム原子鎖構造の金属絶縁体転移について報告する。後者については、加速器を用いたGe線源の製造とこれより得られる陽電子のスピン偏極率測定の結果について述べるとともに、この偏極陽電子を使った磁性体(Fe, Co, Ni, Gd)の陽電子消滅測定の結果について報告する。
